Samsung berhasil menciptakan terobosan besar dalam teknologi memori flash dengan mengembangkan NAND flash berbasis transistor ferroelektrik yang mampu menghemat daya hingga 96%. Inovasi ini sangat penting di tengah meningkatnya kebutuhan penyimpanan data yang efisien, terutama untuk perangkat smartphone dan pusat data AI yang menggunakan energi dalam jumlah besar.
Teknologi terbaru ini diumumkan oleh tim riset Samsung melalui makalah ilmiah di jurnal Nature. Penelitian ini melibatkan 34 peneliti dari berbagai institusi dan menunjukkan potensi besar dalam mengurangi konsumsi listrik hingga hampir nol pada kondisi tertentu.
Tantangan Konsumsi Daya pada NAND Flash Konvensional
Konsumsi daya pada memori NAND flash tradisional meningkat seiring dengan kompleksitas struktur 3D yang memiliki banyak lapisan. Dalam arsitektur ini, kebocoran arus listrik terjadi meskipun transistor dalam keadaan “mati”. Kebocoran ini tidak hanya boros energi, tapi juga menghasilkan panas berlebih yang bisa mempercepat kerusakan chip. Kondisi tersebut menyulitkan pengembangan memori dengan kapasitas besar sekaligus hemat energi.
Samsung menggarisbawahi bahwa, tanpa inovasi efisiensi daya, pertumbuhan teknologi AI dan perangkat mobile dapat terhambat, terutama karena keterbatasan energi yang dibutuhkan untuk pengoperasian chip-chip penyimpanan tersebut.
Prinsip Kerja Transistor Ferroelektrik Samsung
Samsung menggunakan material ferroelektrik pada transistor dalam NAND flash yang mampu memblokir aliran arus secara efektif saat tegangan di bawah ambang tertentu. Berbeda dengan transistor konvensional yang masih membocorkan arus meskipun “mati”, transistor ini hampir tidak mengalami kebocoran arus.
Hasil pengujian laboratorium menunjukkan penurunan konsumsi daya hingga 96% selama operasi baca dan tulis data. Hal ini merupakan langkah revolusioner dalam mengatasi salah satu masalah terbesar pada penyimpanan data modern yang selama ini sulit dipecahkan.
Dampak Positif untuk Pengguna Smartphone dan Data Center
Implementasi memori NAND flash hemat daya ini akan membawa manfaat besar untuk pengguna smartphone. Baterai perangkat dapat bertahan lebih lama karena daya yang hilang secara diam-diam berkurang drastis. Selain itu, suhu ponsel juga cenderung lebih rendah sehingga ketahanan perangkat meningkat dan desain ponsel bisa dibuat lebih ringkas atau dengan kapasitas kamera yang lebih besar.
Selain itu, pusat data AI yang dikenal mengonsumsi listrik dalam jumlah masif juga dapat meraih penghematan energi besar-besaran. Samsung memperkirakan potensi penghematan biaya listrik global mencapai miliaran dolar setiap tahun. Di sisi ekologis, pengurangan daya ini membantu menurunkan emisi karbon dan mendukung target netralitas karbon perusahaan teknologi.
Tantangan Produksi dan Komersialisasi
Meski teknologi ini menunjukkan hasil yang menjanjikan, Samsung masih menghadapi sejumlah kendala sebelum dapat memproduksi secara massal. Tantangan utama meliputi skala produksi besar-besaran, integrasi dengan proses manufaktur NAND flash yang ada, serta memastikan stabilitas jangka panjang material ferroelektrik.
Generasi memori NAND flash terbaru yang diperkirakan hadir dalam waktu dekat, seperti UFS 5.0, masih menggunakan teknologi konvensional yang boros daya. Namun, karena Samsung merupakan produsen NAND flash terbesar dunia, teknologi hemat daya ini diprediksi akan mulai diterapkan dalam 2 sampai 3 tahun mendatang.
Strategi Samsung dalam Era AI
Inovasi pada NAND flash hemat daya ini melengkapi langkah Samsung yang tengah mengembangkan produk hemat energi lainnya, seperti LPDDR6 dan chipset Exynos 2500 dengan akselerator AI. Samsung berupaya membangun ekosistem perangkat keras AI yang efisien dan berkelanjutan demi menghadapi tantangan pertumbuhan teknologi di masa depan.
Samsung bukan hanya mengedepankan kecepatan dan kapasitas, tapi juga fokus pada efisiensi energi sebagai aspek vital di era digital. Teknologi NAND flash hemat daya ini menegaskan bahwa masa depan smartphone dan perangkat AI akan semakin tahan lama dan ramah lingkungan.
