Samsung Mulai Kirim Memori HBM4 dengan Kecepatan 11,7Gbps, Sampling HBM4E Tahun Ini

Samsung telah mulai mengirimkan memori HBM4 kepada pelanggannya dan mengumumkan produksi massal standar terbaru ini. Teknologi memori ini dibuat menggunakan proses DRAM generasi keenam dengan fabrikasi 10nm kelas “1c” yang dikombinasikan dengan die logika 4nm untuk meningkatkan performa.

HBM4 mampu mencapai kecepatan hingga 11,7Gbps per pin, melampaui standar industri sebesar 8Gbps hingga 46%. Dengan 2.048 pin, total bandwidth yang dihasilkan mencapai 3,3 terabytes per detik, merupakan peningkatan 2,7 kali lipat dibandingkan HBM3E.

Inovasi Desain dan Efisiensi Energi

Pengurangan kecepatan per pin dari 9,6Gbps pada HBM3E ke 8Gbps pada standar HBM4 dirancang untuk meningkatkan efisiensi daya dan manajemen panas. Samsung bahkan telah melampaui target ini dengan memproduksi chip yang dapat berjalan lebih cepat dari standar.

Memori HBM4 Samsung menggunakan teknologi stack 12 lapis dengan kapasitas mulai dari 24GB hingga 36GB. Perusahaan juga menyiapkan desain 16 lapis yang mampu menampung hingga 48GB, sesuai kebutuhan pelanggan.

Teknologi low-voltage through silicon vias dan jaringan distribusi daya yang diterapkan dalam HBM4 meningkatkan efisiensi energi hingga 40%. Selain itu, lapisan memori ini memiliki tahan panas 10% lebih rendah dan dissipasi panas 30% lebih baik jika dibandingkan HBM3E.

Prediksi Permintaan dan Perluasan Produksi

Samsung memperkirakan permintaan memori HBM4 akan meningkat drastis—penjualan diprediksi akan tiga kali lipat dibandingkan tahun sebelumnya. Untuk mengantisipasi hal ini, perusahaan tengah meningkatkan kapasitas produksi HBM4 agar dapat memenuhi kebutuhan pasar yang terus berkembang.

Pengembangan Generasi Berikutnya: HBM4E

Samsung juga merencanakan untuk mengirimkan sampel memori HBM4E kepada pelanggannya di paruh kedua tahun ini. Teknologi HBM4E ini menjanjikan peningkatan performa yang lebih tinggi lagi.

Selain itu, perusahaan akan menyediakan sampel memori khusus yang didesain sesuai spesifikasi pelanggan mulai tahun depan, menunjukkan fleksibilitas dan fokus Samsung pada kebutuhan khusus setiap pengguna.

Kata Pengembang Samsung

Sang Joon Hwang, Executive Vice President dan Kepala Pengembangan Memori di Samsung Electronics, menyatakan bahwa perusahaan mengadopsi metode paling mutakhir dengan proses DRAM 1c dan proses logika 4nm untuk HBM4. Langkah ini memberikan ruang performa yang signifikan untuk memenuhi tuntutan pelanggan akan peningkatan kinerja.

Pentingnya HBM4 bagi Industri

Memori HBM4 sangat dibutuhkan oleh berbagai aplikasi yang memerlukan bandwidth besar, seperti kecerdasan buatan, komputasi kelas tinggi, serta grafis dan gaming generasi terbaru. Dengan kemampuan transfer data yang sangat tinggi, HBM4 memungkinkan pemrosesan yang lebih cepat dan efisien.

Berbagai peningkatan pada efisiensi daya dan pengelolaan panas juga menjadikan HBM4 solusi ideal untuk perangkat dengan kebutuhan konsumsi daya rendah namun performa maksimal.

Spesifikasi Kunci HBM4 Samsung:

Dengan kemajuan teknologi ini, Samsung menegaskan posisinya sebagai pemimpin pasar di sektor memori berkinerja tinggi. Peluncuran dan produksi massal HBM4 menjadi tonggak penting dalam evolusi komponen memori untuk mendukung perkembangan teknologi masa depan. Samsung terus berupaya menghadirkan inovasi yang memaksimalkan kecepatan dan efisiensi untuk memenuhi kebutuhan pasar global.