Samsung Electronics resmi memulai produksi massal memori HBM4 (High Bandwidth Memory generasi keempat) dan telah mengirimkan produk perdananya ke pelanggan. Memori ini dirancang khusus untuk mendukung kebutuhan komputasi intensif dan kecerdasan buatan (AI) dengan performa yang sangat tinggi.
HBM4 hadir dengan kecepatan transfer data hingga 11,7Gbps per pin. Dengan total 2.048 pin, bandwidth yang dihasilkan mencapai 3,3 terabyte per detik (TB/s), meningkat 2,7 kali lipat dibandingkan generasi sebelumnya yaitu HBM3E. Teknologi ini menggunakan proses DRAM kelas 10nm generasi keenam bernama “1c” dan fabrikasi logic base die 4nm yang memungkinkan performa yang lebih tinggi.
Inovasi Teknologi dan Performa
Samsung berhasil melampaui standar yang ditetapkan JEDEC dalam proses standardisasi HBM4. Meskipun JEDEC menurunkan kecepatan bandwidth per pin dibanding HBM3E dari 9,6Gbps menjadi 8Gbps, Samsung membuktikan performanya malah mencapai 11,7Gbps per pin. Perusahaan juga membuka peluang peningkatan kecepatan hingga 13Gbps di masa mendatang.
Penggunaan jumlah pin yang lebih banyak yaitu 2.048 pin menggandakan kapasitas transfer data, sehingga total bandwidth melonjak signifikan. Strategi ini juga menguntungkan dalam hal efisiensi daya dan manajemen suhu, yang menjadi perhatian utama untuk perangkat komputasi dengan beban tinggi.
Kapasitas dan Efisiensi Daya
HBM4 Samsung mengusung teknologi stacking 12-layer dengan kapasitas memori antara 24GB hingga 36GB. Perusahaan berencana mengembangkan desain hingga 16-layer untuk mencapai kapasitas maksimal 48GB sesuai kebutuhan pasar. Teknologi ini memungkinkan produk dengan kapasitas besar sekaligus mendukung performa tinggi.
Selain itu, peningkatan efisiensi daya mencapai 40% diperoleh dari penggunaan low-voltage through-silicon vias (TSV) dan desain power distribution network terbaru. Dalam aspek termal, hambatan panas berhasil dikurangi hingga 10% dan daya pembuangan panas meningkat sampai 30% jika dibandingkan dengan generasi sebelumnya, HBM3E.
Permintaan Pasar dan Ekspansi Produksi
Samsung memproyeksikan lonjakan signifikan dalam permintaan memori HBM4 sepanjang tahun ini. Diperkirakan penjualan akan meningkat tiga kali lipat dibanding tahun sebelumnya. Oleh karena itu, perusahaan sedang memperluas kapasitas produksi untuk memenuhi kebutuhan pasar yang makin berkembang, terutama di sektor server pusat data dan perangkat AI.
Selain itu, Samsung memiliki rencana meluncurkan HBM4E yang merupakan evolusi dari HBM4. Sampel HBM4E akan mulai dikirimkan pada paruh kedua tahun ini dan rencana penyediaan memori HBM yang dirancang khusus untuk kebutuhan klien juga akan dilakukan pada tahun berikutnya.
Langkah Industri dan Strategi Samsung
Menurut Sang Joon Hwang, Executive Vice President dan Head of Memory Development Samsung Electronics, pemilihan node fabrikasi paling mutakhir seperti 1c DRAM dan 4nm logic adalah bagian dari strategi agresif perusahaan. Fokus utamanya adalah meningkatkan performa secara signifikan dan memperluas ruang peningkatan teknologi di masa depan.
Adopsi HBM4 dan persiapan peluncuran HBM4E menunjukkan posisi kuat Samsung dalam pasar memori berkecepatan tinggi. Perangkat ini menjadi tulang punggung komputasi modern, khususnya untuk kebutuhan AI dan pusat data berskala besar. Efisiensi energi dan manajemen termal yang lebih baik menjadi kunci inovasi untuk menghadapi lonjakan kebutuhan industri global.
Dengan berbagai keunggulan dan rencana modernisasi yang terstruktur, Samsung menegaskan komitmennya dalam menghadirkan teknologi memori berperforma tinggi yang mampu menopang kemajuan teknologi komputasi di era digital ini. Tentu saja, perkembangan ini akan berdampak besar pada percepatan inovasi di berbagai sektor teknologi canggih ke depan.
